STP065N08GU263-U220 85V 6.5mΩ SGT MOSFET
参数规格
Channel TypeN沟道
Mode增强型
VDS(Max.)85
ID(Max.)80
RDS(on)(Max.)6.5
g(Typ)-
PackageTO-263 / TO-220
产品详情
产品简介
STP065N08GU263-U220 是一款 85V N 沟道增强型 SGT（屏蔽栅沟槽）功率 MOSFET，采用先进的双沟槽（double trench）制造工艺，兼具低导通电阻、低栅极电荷与卓越的开关性能。器件封装限制最大连续漏极电流 80A（硅限 118A，TC=100℃ 时硅限 75A），脉冲漏极电流 320A，VGS=10V 时 RDS(on) 最大 6.5mΩ（典型 5.4mΩ），栅极阈值电压 2.0~4.0V（典型 3.0V），总栅极电荷仅 64nC，反向传输电容低至 13.5pF。器件单脉冲雪崩能量 EAS 达 196mJ，最大耗散功率 156.2W，体二极管反向恢复时间 57ns、正向压降最大 1.2V，工作结温范围 -55~+150℃，采用 TO-263 / TO-220 封装，可为开关应用与电机驱动等高速开关场景提供高效率、低损耗的功率解决方案。
产品特性
- N 沟道增强型 SGT MOSFET，先进双沟槽技术，降低导通损耗、提升开关性能并增强雪崩能量
- 85V 漏源电压，低导通电阻：RDS(on) 最大 6.5mΩ（VGS=10V，ID=50A，典型 5.4mΩ）
- 最大连续漏极电流 80A（封装限制，TC=25℃），硅限 118A，脉冲漏极电流 320A
- 总栅极电荷 Qg 典型 64nC，反向传输电容 Crss 典型 13.5pF，开关速度快
- 高雪崩耐量：单脉冲雪崩能量 EAS 196mJ，最大耗散功率 156.2W
- 体二极管反向恢复时间 57ns，正向压降最大 1.2V
- 工作结温范围 -55~+150℃，TO-263 / TO-220 封装
- RoHS 产品
典型应用
- 开关应用
- 电机驱动
