STP02N08UL8 85V 1.5mΩ SGT MOSFET

Name: STP02N08UL8 85V 1.5mΩ SGT MOSFET
Brand: 燊塔科技
SKU: STP02N08UL8

STP02N08UL8

STP02N08UL8 是一款 85V N 沟道增强型屏蔽栅沟槽（SGT）功率 MOSFET，采用先进的双沟槽（Double Trench）技术制造，有效降低导通损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。器件 25℃ 最大连续漏极电流 360A（封装限制，硅限 371A），脉冲漏极电流 1440A，VGS=10V 时 RDS(on) 最大 1.5mΩ（典型 1.2mΩ），总栅极电荷典型值 240nC，反向传输电容低至 472pF，开关速度快、驱动损耗低。器件具备高雪崩耐量，单脉冲雪崩能量高达 1764mJ，体二极管反向恢复时间 120ns、反向恢复电荷 360nC，最大耗散功率 462.9W，工作结温范围 -55~+150℃。采用 TOLL-8 贴片封装，专为 BMS 电池管理系统与大电流开关应用而设计。

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参数规格

Channel TypeN沟道

Mode增强型

VDS(Max.)85

ID(Max.)360

RDS(on)(Max.)1.5

g(Typ)-

PackageTOLL-8

产品详情

产品简介

STP02N08UL8 是一款 85V N 沟道增强型 SGT 功率 MOSFET，采用先进的双沟槽（Double Trench）技术，兼具低导通电阻、低栅极电荷与卓越的开关性能。器件 25℃ 最大连续漏极电流达 360A（硅限 371A），脉冲漏极电流 1440A，VGS=10V 时 RDS(on) 最大 1.5mΩ（典型 1.2mΩ），栅极阈值电压 2~4V（典型 3V），总栅极电荷典型值 240nC，反向传输电容仅 472pF。器件单脉冲雪崩能量 1764mJ，体二极管反向恢复时间 120ns、反向恢复电荷 360nC，最大耗散功率 462.9W，工作结温范围 -55~+150℃，采用 TOLL-8 封装，是 BMS 电池管理及大电流开关应用的理想选择。