STP03N10UL8-U263-7 100V 3mΩ SGT MOSFET
参数规格
Channel TypeN沟道
Mode增强型
VDS(Max.)100
ID(Max.)216
RDS(on)(Max.)3
g(Typ)-
PackageTOLL-8 / TO-263-7
产品详情
产品简介
STP03N10UL8-U263-7 是一款 100V N 沟道增强型 SGT MOSFET，采用先进双沟槽技术制造，可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩耐量。器件 25℃ 最大连续漏极电流 216A（硅限，封装限值 300A），脉冲漏极电流 864A，VGS=10V 时 RDS(on) 最大 3mΩ（典型 2.3mΩ），阈值电压典型值 3V（2~4V），总栅极电荷典型值 131nC，反向传输电容仅 110pF。器件雪崩能量 784mJ，最大耗散功率 250W，体二极管反向恢复时间 80ns、反向恢复电荷 195nC，工作结温范围 -55~+150℃，提供 TOLL-8 与 TO-263-7 两种封装，可为电池管理系统（BMS）及大电流开关应用提供高效率、高可靠性的功率开关解决方案。
产品特性
- 先进双沟槽（SGT）技术，N 沟道增强型功率 MOSFET
- 低导通电阻：RDS(on) 最大 3mΩ（典型 2.3mΩ，VGS=10V，ID=50A）
- 最大连续漏极电流 216A（硅限，TC=25℃），脉冲漏极电流 864A
- 低栅极电荷：Qg 典型 131nC，快速开关
- 低反向传输电容：Crss 典型 110pF
- 高雪崩耐量：EAS 784mJ，最大耗散功率 250W
- 体二极管反向恢复时间 80ns，反向恢复电荷 195nC
- 工作结温范围 -55~+150℃，TOLL-8 / TO-263-7 封装
- RoHS 产品
典型应用
- 电池管理系统（BMS）
- 大电流开关应用
