STP065N08GU252-U251 85V 6.5mΩ SGT MOSFET
参数规格
Channel TypeN沟道
Mode增强型
VDS(Max.)85
ID(Max.)80
RDS(on)(Max.)6.5
g(Typ)-
PackageTO-252 / TO-251
产品详情
产品简介
STP065N08GU252-U251 是一款 85V N 沟道增强型 SGT MOSFET，采用先进双沟槽（double trench）技术，兼具低导通电阻、低栅极电荷与卓越的开关性能。器件漏源电压 85V，最大连续漏极电流 80A（封装限制，硅限值 105A），脉冲漏极电流 320A，VGS=10V 时 RDS(on) 最大 6.5mΩ（典型 5.4mΩ），栅极阈值电压典型值 3.0V（2.0~4.0V），总栅极电荷仅 61.2nC，反向传输电容低至 11.7pF。器件单脉冲雪崩能量达 196mJ，体二极管反向恢复时间 55ns，最大耗散功率 125W，工作结温范围 -55~+150℃，提供 TO-252 与 TO-251 两种封装，可为开关应用与电机驱动等高速开关场景提供高效率、低损耗的功率开关解决方案。
产品特性
- 先进双沟槽（double trench）技术，N 沟道增强型 SGT MOSFET
- 85V 漏源电压，低导通电阻：RDS(on) 最大 6.5mΩ（VGS=10V，典型 5.4mΩ）
- 最大连续漏极电流 80A（封装限制），脉冲漏极电流 320A
- 总栅极电荷 Qg 61.2nC，反向传输电容 Crss 11.7pF，开关速度快
- 高雪崩耐量：单脉冲雪崩能量 EAS 196mJ（L=0.5mH，IAS=28A）
- 体二极管反向恢复时间 55ns，反向恢复电荷 60nC
- 最大耗散功率 125W，工作结温范围 -55~+150℃
- 提供 TO-252 / TO-251 封装
- RoHS 产品
典型应用
- 开关应用
- 电机驱动
