STP03N10U247 100V 3mΩ SGT MOSFET

Name: STP03N10U247 100V 3mΩ SGT MOSFET
Brand: 燊塔科技
SKU: STP03N10U247

STP03N10U247

STP03N10U247 是一款 100V N 沟道增强型 SGT MOSFET，采用先进双沟槽（double trench）工艺制造，可有效降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量承受能力。器件漏源击穿电压 100V，25℃ 最大连续漏极电流 180A（封装限制，硅限值 239A），脉冲漏极电流 720A，VGS=10V 时 RDS(on) 最大 3mΩ（典型 2.7mΩ），总栅极电荷典型值 131nC，反向传输电容低至 110pF，开关与驱动损耗表现出色。器件单脉冲雪崩能量 784mJ，最大耗散功率 357W，体二极管反向恢复时间 80ns、反向恢复电荷 195nC，阈值电压典型值 3V（2~4V），工作结温范围 -55~+150℃，采用 TO-247 封装，专为 BMS 电池管理系统与大电流开关应用而设计。

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参数规格

Channel TypeN沟道

Mode增强型

VDS(Max.)100

ID(Max.)180

RDS(on)(Max.)3

g(Typ)-

PackageTO-247

产品详情

产品简介

STP03N10U247 是一款 100V N 沟道增强型 SGT MOSFET，采用先进双沟槽（double trench）工艺制造，兼具低导通电阻、低栅极电荷与卓越的开关性能。器件 25℃ 最大连续漏极电流达 180A（封装限制，硅限值 239A），脉冲漏极电流 720A，VGS=10V 时 RDS(on) 最大 3mΩ（典型 2.7mΩ），阈值电压典型值 3V（2~4V），总栅极电荷典型值 131nC，反向传输电容仅 110pF。器件单脉冲雪崩能量达 784mJ，最大耗散功率 357W，体二极管反向恢复时间 80ns、反向恢复电荷 195nC，工作结温范围 -55~+150℃，采用 TO-247 封装，是 BMS 电池管理系统与大电流开关应用的理想选择。