STP065N08GLPQ8 85V 6mΩ SGT MOSFET

Name: STP065N08GLPQ8 85V 6mΩ SGT MOSFET
Brand: 燊塔科技
SKU: STP065N08GLPQ8

STP065N08GLPQ8

STP065N08GLPQ8 是一款 85V N 沟道增强型 SGT（屏蔽栅沟槽）功率 MOSFET，采用先进的双沟槽工艺（advanced double trench technology），有效降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量承受能力。器件漏源击穿电压 85V，25℃ 最大连续漏极电流 80A（封装限制，硅限 109A），脉冲漏极电流 320A，VGS=10V 时 RDS(on) 最大 6mΩ（典型 5.2mΩ），VGS=4.5V 时最大 8.5mΩ（典型 7.5mΩ），总栅极电荷典型 68nC，反向传输电容低至 8pF，驱动与开关损耗表现出色。器件单脉冲雪崩能量 EAS 高达 225mJ，体二极管反向恢复时间 55ns、反向恢复电荷 60nC，最大耗散功率 125W，工作结温范围 -55~+150℃。STP065N08GLPQ8 采用 PDFN 5×6 贴片封装，专为同步整流与高速开关应用而设计，可显著提升电源系统的效率与功率密度。

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参数规格

Channel TypeN沟道

Mode增强型

VDS(Max.)85

ID(Max.)80

RDS(on)(Max.)6

g(Typ)-

PackagePDFN 5×6

产品详情

产品简介

STP065N08GLPQ8 是一款 85V N 沟道增强型 SGT（屏蔽栅沟槽）功率 MOSFET，采用先进的双沟槽工艺（advanced double trench technology），兼具低导通电阻、低栅极电荷与卓越的开关性能。器件漏源击穿电压 85V，25℃ 最大连续漏极电流 80A（封装限制，硅限 109A），脉冲漏极电流 320A，VGS=10V 时 RDS(on) 最大 6mΩ（典型 5.2mΩ），VGS=4.5V 时最大 8.5mΩ（典型 7.5mΩ），阈值电压典型值 1.8V（1~2.5V），总栅极电荷典型 68nC，反向传输电容仅 8pF。器件单脉冲雪崩能量 EAS 达 225mJ，体二极管反向恢复时间 55ns、反向恢复电荷 60nC，最大耗散功率 125W，工作结温范围 -55~+150℃，采用 PDFN 5×6 贴片封装，专为同步整流与高速开关应用而设计，可显著提升电源系统的效率与功率密度。