STP038N15U247 150V 3.8mΩ SGT MOSFET

Name: STP038N15U247 150V 3.8mΩ SGT MOSFET
Brand: 燊塔科技
SKU: STP038N15U247

STP038N15U247

STP038N15U247 是一款 150V N 沟道增强型 SGT（屏蔽栅沟槽）功率 MOSFET，采用先进双沟槽工艺制造，可有效降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量承受能力。器件 25℃ 最大连续漏极电流 267A（硅限值），TC=100℃ 时 169.3A，脉冲漏极电流高达 1068A，VGS=10V 时 RDS(on) 最大 3.8mΩ（典型 3.3mΩ），总栅极电荷仅 150nC，反向传输电容低至 24.3pF，兼具低导通电阻、低驱动损耗与快速开关特性。器件雪崩能量 EAS 达 1225mJ，最大耗散功率 625W，体二极管反向恢复时间 110ns，阈值电压典型 3V（2~4V），工作结温范围 -55~+150℃。STP038N15U247 采用 TO-247 封装，适用于电机驱动及各类大电流应用场景。

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参数规格

Channel TypeN沟道

Mode增强型

VDS(Max.)150

ID(Max.)267

RDS(on)(Max.)3.8

g(Typ)-

PackageTO-247

产品详情

产品简介

STP038N15U247 是一款 150V N 沟道增强型 SGT（屏蔽栅沟槽）功率 MOSFET，采用先进双沟槽工艺制造，可有效降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量承受能力。器件 25℃ 最大连续漏极电流达 267A（硅限值），TC=100℃ 时 169.3A，脉冲漏极电流 1068A，VGS=10V 时 RDS(on) 最大 3.8mΩ（典型 3.3mΩ），阈值电压典型值 3V（2~4V），总栅极电荷仅 150nC，反向传输电容低至 24.3pF，开关速度快。器件体二极管反向恢复时间 110ns，雪崩能量 EAS 1225mJ，最大耗散功率 625W，结-壳热阻仅 0.2℃/W，工作结温范围 -55~+150℃，采用 TO-247 封装，可为电机驱动及各类大电流应用提供低损耗、高可靠的功率开关解决方案。