STP038N15UL8-UL263-7 150V 3.8mΩ SGT MOSFET
参数规格
Channel TypeN沟道
Mode增强型
VDS(Max.)150
ID(Max.)254
RDS(on)(Max.)3.8
g(Typ)-
PackageTOLL-8 / TO-263-7
产品详情
产品简介
STP038N15UL8-UL263-7 是一款 150V N 沟道增强型 SGT MOSFET，采用先进双沟槽（double trench）工艺，兼具低导通电阻、低栅极电荷与卓越的开关性能。器件最大连续漏极电流 254A（硅限值，TC=25℃），TC=100℃ 时 160.9A，脉冲漏极电流 1016A；VGS=10V 时 RDS(on) 最大 3.8mΩ（典型 2.9mΩ），阈值电压典型值 3V（2~4V），总栅极电荷典型 150nC，反向传输电容仅 24.3pF。器件单脉冲雪崩能量 1225mJ，最大耗散功率 500W，结壳热阻低至 0.25℃/W，内置体二极管反向恢复时间 110ns、反向恢复电荷 395nC，工作结温范围 -55~+150℃，提供 TOLL-8 与 TO-263-7 两种封装，可为电机驱动与大电流应用提供高效率、高可靠性的功率开关解决方案。
产品特性
- N 沟道增强型 SGT MOSFET，先进双沟槽工艺，降低导通损耗并增强雪崩能力
- 快速开关，低反向传输电容（Crss 典型 24.3pF）
- 低导通电阻：RDS(on) 最大 3.8mΩ（VGS=10V，典型 2.9mΩ）
- 最大连续漏极电流 254A（硅限值，TC=25℃），脉冲漏极电流 1016A
- 低栅极电荷：Qg 典型 150nC，开关损耗低
- 高雪崩耐量：单脉冲雪崩能量 EAS 1225mJ
- 最大耗散功率 500W，结壳热阻 0.25℃/W
- 工作结温范围 -55~+150℃，TOLL-8 / TO-263-7 封装
- RoHS 产品
典型应用
- 电机驱动
- 大电流应用
