STP02N08U247 85V 2mΩ SGT MOSFET

Name: STP02N08U247 85V 2mΩ SGT MOSFET
Brand: 燊塔科技
SKU: STP02N08U247

STP02N08U247

STP02N08U247 是一款 85V N 沟道增强型屏蔽栅沟槽（SGT）功率 MOSFET，采用先进双沟槽（double trench）技术制造，有效降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩耐量。器件 25℃ 最大连续漏极电流 180A（封装限制，硅限值 349A），脉冲漏极电流 720A，VGS=10V 时 RDS(on) 最大 2mΩ（典型 1.6mΩ），总栅极电荷典型值 240nC，反向传输电容低至 472pF。器件单脉冲雪崩能量 EAS 高达 1764mJ，体二极管反向恢复时间 120ns、反向恢复电荷 360nC，最大耗散功率 595.2W，工作结温范围 -55~+150℃。STP02N08U247 采用 TO-247 封装，兼具低导通电阻、快速开关与高雪崩耐量，广泛适用于 BMS 电池管理系统及大电流开关应用。

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参数规格

Channel TypeN沟道

Mode增强型

VDS(Max.)85

ID(Max.)180

RDS(on)(Max.)2

g(Typ)-

PackageTO-247

产品详情

产品简介

STP02N08U247 是一款 85V N 沟道增强型屏蔽栅沟槽（SGT）功率 MOSFET，采用先进双沟槽（double trench）技术制造，可有效降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩耐量。器件 25℃ 最大连续漏极电流 180A（封装限制），脉冲漏极电流 720A，VGS=10V 时 RDS(on) 最大 2mΩ（典型 1.6mΩ），阈值电压典型值 3V（2~4V），总栅极电荷 240nC，反向传输电容仅 472pF，体二极管反向恢复时间 120ns、反向恢复电荷 360nC。器件单脉冲雪崩能量 EAS 达 1764mJ，最大耗散功率 595.2W，工作结温范围 -55~+150℃，采用 TO-247 封装，是 BMS 电池管理系统与大电流开关应用的理想选择。