ST03N08UL8-U263-7 85V 2.5mΩ SGT MOSFET

Name: ST03N08UL8-U263-7 85V 2.5mΩ SGT MOSFET
Brand: 燊塔科技
SKU: ST03N08UL8-U263-7

ST03N08UL8-U263-7

ST03N08UL8-U263-7 是一款 85V N 沟道增强型 SGT（屏蔽栅沟槽）功率 MOSFET，采用先进的双沟槽（double trench）工艺制造，有效降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量承受能力。器件 25℃ 最大连续漏极电流达 253A（硅限值，封装限值 300A），脉冲漏极电流 1012A，VGS=10V 时 RDS(on) 最大仅 2.5mΩ（典型 1.9mΩ），总栅极电荷 138.3nC，反向传输电容低至 152pF，驱动损耗与开关损耗表现出色。器件单脉冲雪崩能量高达 900mJ，体二极管反向恢复时间 80ns、反向恢复电荷 196nC，最大耗散功率 250W，工作结温范围 -55~+150℃。ST03N08UL8-U263-7 提供 TOLL-8 与 TO-263-7 两种封装，广泛应用于 BMS 电池管理系统与大电流开关等应用场景。

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参数规格

Channel TypeN沟道

Mode增强型

VDS(Max.)85

ID(Max.)253

RDS(on)(Max.)2.5

g(Typ)-

PackageTOLL-8 / TO-263-7

产品详情

产品简介

ST03N08UL8-U263-7 是一款 85V N 沟道增强型 SGT（屏蔽栅沟槽）功率 MOSFET，采用先进的双沟槽（double trench）工艺制造，兼具低导通电阻、低栅极电荷与卓越的开关性能，并显著增强了雪崩能量承受能力。器件 25℃ 最大连续漏极电流达 253A（硅限值，封装限值 300A），脉冲漏极电流 1012A，VGS=10V 时 RDS(on) 最大仅 2.5mΩ（典型 1.9mΩ），阈值电压典型值 3V（2~4V），总栅极电荷 138.3nC，反向传输电容仅 152pF。器件单脉冲雪崩能量高达 900mJ，体二极管反向恢复时间 80ns、反向恢复电荷 196nC，最大耗散功率 250W，工作结温范围 -55~+150℃，提供 TOLL-8 与 TO-263-7 两种封装，可为 BMS 电池管理系统与大电流开关应用提供高效率、高可靠性的功率开关解决方案。