ST03N08U263-U220 85V 3mΩ SGT MOSFET
参数规格
Channel TypeN沟道
Mode增强型
VDS(Max.)85
ID(Max.)180
RDS(on)(Max.)3
g(Typ)-
PackageTO-263 / TO-220
产品详情
产品简介
ST03N08U263-U220 是一款 85V N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进双沟槽（double trench）工艺制造，可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩耐量。器件 25℃ 最大连续漏极电流达 180A（封装限制，硅限值 230A），脉冲漏极电流 720A，VGS=10V 时 RDS(on) 最大 3mΩ（典型 2.3mΩ），阈值电压典型值 3V（2~4V），总栅极电荷典型值 138.3nC，反向传输电容低至 152pF。器件单脉冲雪崩能量 900mJ，最大耗散功率 250W，结壳热阻仅 0.5℃/W，体二极管反向恢复时间 80ns、反向恢复电荷 196nC，正向压降最大 1.2V，工作结温范围 -55~+150℃，提供 TO-263 与 TO-220 两种封装，可为 BMS 与大电流开关应用提供高效率、高可靠性的功率开关方案。
产品特性
- N 沟道增强型，先进双沟槽工艺，低导通损耗、高雪崩耐量
- 低导通电阻：RDS(on) 最大 3mΩ（VGS=10V，典型 2.3mΩ）
- 最大连续漏极电流 180A（TC=25℃，封装限制），脉冲漏极电流 720A
- 低栅极电荷：Qg 典型 138.3nC，快速开关
- 低反向传输电容：Crss 典型 152pF
- 高雪崩耐量：单脉冲雪崩能量 EAS 900mJ，最大耗散功率 250W
- 体二极管反向恢复时间 80ns，正向压降最大 1.2V
- 工作结温范围 -55~+150℃，TO-263 / TO-220 封装
- RoHS 产品
典型应用
- BMS（电池管理系统）
- 大电流开关应用
