ST03N08U247 85V 3mΩ SGT MOSFET

Name: ST03N08U247 85V 3mΩ SGT MOSFET
Brand: 燊塔科技
SKU: ST03N08U247

ST03N08U247

ST03N08U247 是一款 85V N 沟道增强型屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET，采用先进的双沟槽工艺制造，可有效降低导通损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。器件 25℃ 最大连续漏极电流 180A（封装限制，硅限制 275A），脉冲漏极电流 720A，VGS=10V 时 RDS(on) 最大 3mΩ（典型 2.3mΩ），总栅极电荷仅 138.3nC，反向传输电容低至 152pF，开关损耗表现出色。器件单脉冲雪崩能量高达 900mJ，雪崩耐量优异，最大耗散功率 357W，阈值电压 2~4V，工作结温范围 -55~+150℃。内置体二极管正向压降最大 1.2V，反向恢复时间 80ns、反向恢复电荷 196nC，采用 TO-247 封装，广泛应用于 BMS 电池管理系统与大电流开关应用场景。

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参数规格

Channel TypeN沟道

Mode增强型

VDS(Max.)85

ID(Max.)180

RDS(on)(Max.)3

g(Typ)-

PackageTO-247

产品详情

产品简介

ST03N08U247 是一款 85V N 沟道增强型屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET，采用先进的双沟槽技术制造，可降低导通损耗、提升开关性能并增强雪崩能量，是 BMS 与大电流开关应用的理想器件。器件 25℃ 最大连续漏极电流 180A（封装限制，硅限制 275A），脉冲漏极电流 720A，VGS=10V 时 RDS(on) 最大 3mΩ（典型 2.3mΩ），阈值电压典型值 3V（2~4V），总栅极电荷 138.3nC，单脉冲雪崩能量 900mJ，最大耗散功率 357W，工作结温范围 -55~+150℃。内置体二极管正向压降最大 1.2V，反向恢复时间 80ns、反向恢复电荷 196nC，采用 TO-247 封装，可为 BMS 电池管理系统与大电流开关应用提供高效率、高可靠性的功率开关方案。