STP021N10 100V 2.1mΩ SGT MOSFET

Name: STP021N10 100V 2.1mΩ SGT MOSFET
Brand: 燊塔科技
SKU: STP021N10

STP021N10

STP021N10 是一款 100V N 沟道增强型屏蔽栅沟槽（SGT）功率 MOSFET，采用先进的双沟槽Ⅱ（Double Trench Ⅱ）制造工艺，有效降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量承受能力。器件 25℃ 最大连续漏极电流达 292A（硅限值，封装限值 360A），脉冲漏极电流 1168A，VGS=10V 时 RDS(on) 最大仅 2.1mΩ（典型 1.6mΩ），导通损耗极低。器件总栅极电荷 168nC，反向传输电容仅 532pF，单脉冲雪崩能量高达 1225mJ，最大耗散功率 312.5W，体二极管反向恢复时间 66ns、反向恢复电荷 200nC，阈值电压典型值 3V（2~4V），工作结温范围 -55~+150℃。STP021N10 采用低内阻、大电流 TOLL-8 贴片封装，凭借超低导通电阻与高雪崩耐量，广泛应用于电池管理系统（BMS）及各类大电流开关场合。

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参数规格

Channel TypeN沟道

Mode增强型

VDS(Max.)100

ID(Max.)292

RDS(on)(Max.)2.1

g(Typ)-

PackageTOLL-8

产品详情

产品简介

STP021N10 是一款 100V N 沟道增强型屏蔽栅沟槽（SGT）功率 MOSFET，采用先进的双沟槽Ⅱ（Double Trench Ⅱ）技术制造，可显著降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量承受能力。器件 25℃ 最大连续漏极电流达 292A（硅限值，封装限值 360A），TC=100℃ 时仍可达 184.6A，脉冲漏极电流 1168A，VGS=10V 时 RDS(on) 最大仅 2.1mΩ（典型 1.6mΩ），总栅极电荷 168nC，反向传输电容低至 532pF，开关速度快。器件单脉冲雪崩能量高达 1225mJ，最大耗散功率 312.5W，结-壳热阻仅 0.4℃/W，体二极管反向恢复时间 66ns、反向恢复电荷 200nC，栅源电压耐受 ±20V，工作结温范围 -55~+150℃。STP021N10 采用 TOLL-8 贴片封装，兼具超低导通电阻与高可靠性，是电池管理系统（BMS）与大电流开关应用的理想选择。