STP05N07 70V 5mΩ SGT MOSFET

Name: STP05N07 70V 5mΩ SGT MOSFET
Brand: 燊塔科技
SKU: STP05N07

STP05N07

STP05N07 是一款 70V N 沟道增强型 SGT MOSFET，采用先进双沟槽Ⅱ（double trench Ⅱ）工艺制造，有效降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩耐量。器件 25℃ 最大连续漏极电流 115A（硅限制，TC=100℃ 时 72.8A），脉冲漏极电流 460A，VGS=10V 时 RDS(on) 最大 5mΩ（典型 4.2mΩ），总栅极电荷仅 46nC，反向传输电容低至 48pF，开关损耗与驱动损耗表现出色。器件雪崩能量 EAS 达 256mJ，最大耗散功率 125W，阈值电压典型值 3V（2~4V），体二极管反向恢复时间 35ns、反向恢复电荷 50nC，工作结温范围 -55~+150℃。STP05N07 采用 TO-220 / TO-263 封装，为电机驱动与高速开关应用提供高效率、高可靠性的功率开关解决方案。

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参数规格

Channel TypeN沟道

Mode增强型

VDS(Max.)70

ID(Max.)115

RDS(on)(Max.)5

g(Typ)-

PackageTO-220 / TO-263

产品详情

产品简介

STP05N07 是一款 70V N 沟道增强型 SGT MOSFET，采用先进双沟槽Ⅱ（double trench Ⅱ）工艺制造，兼具低导通电阻、低栅极电荷与卓越的开关性能。器件 25℃ 最大连续漏极电流达 115A（硅限制），脉冲漏极电流 460A，VGS=10V 时 RDS(on) 最大 5mΩ（典型 4.2mΩ），阈值电压典型值 3V（2~4V），总栅极电荷仅 46nC，反向传输电容 48pF，体二极管反向恢复时间 35ns。器件雪崩能量 EAS 达 256mJ，最大耗散功率 125W，工作结温范围 -55~+150℃，采用 TO-220 / TO-263 封装，可为电机驱动与高速开关应用提供低损耗、高可靠性的功率开关方案。