STG75T65FDK 650V 75A 沟槽场截止 IGBT
参数规格
TypeIGBT
Grade工业级
Mode沟槽场截止(T-FS)
VCES (Max.) (V)650
PTOT (Max.) (W)468
Freewheeling diode是（内置快恢复续流二极管）
IC@Tc=100℃ (A) max75
IC@Tc=25℃ (A) max150
VCE(sat) (V) typ2.00 (IC=75A)
Qg (nC) typ156 (ICE=75A)
Eon (mJ) typ1.25
Eoff (mJ) typ1.10
IF@Tc=100℃ (A) max75
IF@Tc=25℃ (A) max150
VF (V) typ1.90 (IF=75A)
Qrr (nC) typ96
PackageTO-247
产品详情
产品简介
STG75T65FDK 是一款采用先进沟槽场截止（T-FS）技术的 650V/75A 工业级 IGBT，兼具低饱和压降、优化的开关性能与低栅极电荷特性，专为高开关频率应用而设计。器件 25℃ 时饱和压降典型值 2.00V（IC=75A），栅极电荷 156nC，开通损耗 1.25mJ、关断损耗 1.10mJ。内置快恢复反并联二极管正向压降 1.90V（IF=75A），25℃ 时反向恢复电荷低至 96nC、反向恢复时间仅 36ns（IF=75A），在同档电流器件中表现突出，可显著降低高频硬开关拓扑中的二极管反向恢复损耗。器件具备 5µs 短路耐受能力（VGE=15V，VCC≤400V），采用 TO-247 封装，最大总功耗 468W，工作结温范围 -55~+175℃，为光伏、UPS 与 Boost 等高功率密度变换应用提供高效可靠的功率开关方案。
产品特性
- 650V 沟槽场截止（T-FS）技术，集电极电流 75A（Tc=100℃）
- 饱和压降 VCE(sat) 2.00V（IC=75A）
- 开关损耗：Eon 1.25mJ / Eoff 1.10mJ（25℃）
- 栅极电荷 156nC，快速开关
- 内置快恢复反并联二极管，反向恢复电荷仅 96nC（IF=75A）
- 5µs 短路耐受能力（VGE=15V，VCC≤400V）
- 最大总功耗 468W，25℃ 集电极电流 150A
- 正温度系数，便于并联使用
- TO-247 封装，RoHS 产品
典型应用
- 光伏变换器
- UPS 不间断电源
- Boost 升压电路
- 高开关频率功率变换
