STG30T65FDL 650V 30A 沟槽场截止 IGBT
参数规格
TypeIGBT
Grade工业级
Mode沟槽场截止(T-FS)
VCES (Max.) (V)650
PTOT (Max.) (W)187
Freewheeling diode是（内置快恢复续流二极管）
IC@Tc=100℃ (A) max30
IC@Tc=25℃ (A) max60
VCE(sat) (V) typ1.65 (IC=30A)
Qg (nC) typ66 (ICE=30A)
Eon (mJ) typ0.53
Eoff (mJ) typ0.48
IF@Tc=100℃ (A) max30
IF@Tc=25℃ (A) max60
VF (V) typ2.20 (IF=30A)
Qrr (nC) typ374
PackageTO-247/TO-263/TO-3PF/TO-220F
产品详情
产品简介
STG30T65FDL 是一款采用先进沟槽场截止（T-FS）技术的 650V/30A 工业级 IGBT，具有低饱和压降、优化的开关性能和低栅极电荷特性。器件 25℃ 时饱和压降典型值 1.65V（IC=30A），栅极电荷仅 66nC，开通损耗 0.53mJ、关断损耗 0.48mJ，在导通损耗与开关损耗之间实现良好平衡。内置快恢复反并联二极管，正向压降 2.20V（IF=30A），25℃ 时反向恢复电荷低至 374nC，可有效降低续流回路的开关损耗；器件还具备 8µs 短路耐受能力（VGE=15V，VCC≤400V）。STG30T65FDL 提供 TO-247、TO-263、TO-3PF、TO-220F 四种封装选项，工作结温范围 -55~+175℃，为 UPS、PFC、光伏逆变器和电机驱动应用提供灵活高效的功率开关方案。
产品特性
- 650V 沟槽场截止（T-FS）技术，集电极电流 30A（Tc=100℃）
- 低饱和压降：VCE(sat) 1.65V（IC=30A）
- 低开关损耗：Eon 0.53mJ / Eoff 0.48mJ（25℃）
- 栅极电荷低至 66nC，支持快速开关
- 内置快恢复反并联二极管，反向恢复电荷 374nC
- 8µs 短路耐受能力（VGE=15V，VCC≤400V）
- 正温度系数，便于并联使用
- TO-247 / TO-263 / TO-3PF / TO-220F 多种封装
- RoHS 产品
典型应用
- UPS 不间断电源
- 功率因数校正（PFC）
- 光伏逆变器
- 电机驱动
