STG80T65FDK7 650V 80A 沟槽场截止 IGBT
参数规格
TypeIGBT
Grade工业级
Mode沟槽场截止(T-FS)
VCES (Max.) (V)650
PTOT (Max.) (W)468
Freewheeling diode是（内置快恢复续流二极管）
IC@Tc=100℃ (A) max80
IC@Tc=25℃ (A) max160
VCE(sat) (V) typ1.60
Qg (nC) typ146 (ICE=80A)
Eon (mJ) typ1.45
Eoff (mJ) typ0.75
IF@Tc=100℃ (A) max80
IF@Tc=25℃ (A) max160
VF (V) typ1.65 (IF=80A)
Qrr (nC) typ1700
PackageTO-247
产品详情
产品简介
STG80T65FDK7 是一款采用先进沟槽场截止（T-FS）技术的 650V/80A 工业级 IGBT，具有低饱和压降、优化的开关性能和低栅极电荷特性。器件 25℃ 时饱和压降典型值 1.60V（IC=80A），在同电流等级中处于较低水平；栅极电荷 146nC，开通损耗 1.45mJ，关断损耗低至 0.75mJ，有助于降低中高开关频率下的总损耗。内置快恢复反并联二极管，80A 时正向压降 1.65V，满足大电流续流需求；器件脉冲集电极电流达 320A，具备较强的过载承受能力。STG80T65FDK7 采用 TO-247 封装，最大总功耗 468W，工作结温范围 -40~+175℃，为充电桩、UPS、光伏逆变与焊接设备提供高效可靠的功率开关方案。
产品特性
- 650V 沟槽场截止（T-FS）技术，集电极电流 80A（Tc=100℃）
- 低饱和压降：VCE(sat) 1.60V（IC=80A）
- 低关断损耗：Eon 1.45mJ / Eoff 0.75mJ（25℃）
- 栅极电荷 146nC，快速开关
- 内置快恢复反并联二极管，VF 1.65V（IF=80A）
- 脉冲集电极电流 320A
- 最大总功耗 468W，25℃ 集电极电流 160A
- 正温度系数，便于并联使用
- TO-247 封装，RoHS 产品
典型应用
- 充电桩
- UPS 不间断电源
- 光伏逆变
- 焊接设备
