STG100T65FDL7 650V 100A 低饱和压降沟槽场截止 IGBT
参数规格
TypeIGBT
Grade工业级
Mode沟槽场截止(T-FS)
VCES (Max.) (V)650
PTOT (Max.) (W)555
Freewheeling diode是（内置快恢复续流二极管）
IC@Tc=100℃ (A) max100
IC@Tc=25℃ (A) max200
VCE(sat) (V) typ1.55 (IC=100A)
Qg (nC) typ246 (ICE=100A)
Eon (mJ) typ3.50
Eoff (mJ) typ2.60
IF@Tc=100℃ (A) max100
IF@Tc=25℃ (A) max200
VF (V) typ1.35 (IF=50A)
Qrr (nC) typ1300
PackageTO-247
产品详情
产品简介
STG100T65FDL7 是一款采用先进沟槽场截止（T-FS）技术的 650V/100A 工业级 IGBT，面向导通损耗敏感型应用优化。器件 25℃ 时饱和压降典型值仅 1.55V（IC=100A），为同系列百安级产品中最低，可在电机驱动等低开关频率、大占空比工况下显著降低导通损耗；栅极电荷 246nC，开通损耗 3.50mJ、关断损耗 2.60mJ。器件具备 5µs 短路耐受能力（VGE=15V，VCC≤400V），短路集电极电流典型值 370A，可靠性表现出色；内置快恢复反并联二极管正向压降 1.35V（IF=50A），脉冲集电极电流 300A。STG100T65FDL7 采用 TO-247 封装，最大总功耗 555W，工作结温范围 -40~+175℃，为电机控制、UPS 与光伏逆变应用提供低导通损耗的百安级功率开关方案。
产品特性
- 650V 沟槽场截止（T-FS）技术，集电极电流 100A（Tc=100℃）
- 超低饱和压降：VCE(sat) 1.55V（IC=100A），导通损耗优化
- 开关损耗：Eon 3.50mJ / Eoff 2.60mJ（25℃）
- 5µs 短路耐受能力（VGE=15V，VCC≤400V）
- 内置快恢复反并联二极管，VF 1.35V（IF=50A）
- 脉冲集电极电流 300A
- 最大总功耗 555W，25℃ 集电极电流 200A
- 正温度系数，便于并联使用
- TO-247 封装，RoHS 产品
典型应用
- 电机控制
- UPS 不间断电源
- 光伏逆变
