STG100T65FDK7 650V 100A 沟槽场截止 IGBT
参数规格
TypeIGBT
Grade工业级
Mode沟槽场截止(T-FS)
VCES (Max.) (V)650
PTOT (Max.) (W)555
Freewheeling diode是（内置快恢复续流二极管）
IC@Tc=100℃ (A) max100
IC@Tc=25℃ (A) max200
VCE(sat) (V) typ1.60 (IC=100A)
Qg (nC) typ176 (ICE=100A)
Eon (mJ) typ3.00
Eoff (mJ) typ1.60
IF@Tc=100℃ (A) max100
IF@Tc=25℃ (A) max200
VF (V) typ1.35 (IF=50A)
Qrr (nC) typ1350
PackageTO-247
产品详情
产品简介
STG100T65FDK7 是一款采用先进沟槽场截止（T-FS）技术的 650V/100A 工业级 IGBT，具有低饱和压降、优化的开关性能和低栅极电荷特性，适合中高开关频率应用。器件 25℃ 时饱和压降典型值 1.60V（IC=100A），栅极电荷 176nC，开通损耗 3.00mJ、关断损耗 1.60mJ，在百安级电流下实现导通与开关损耗的良好平衡。内置快恢复反并联二极管，正向压降低至 1.35V（IF=50A），有效降低续流导通损耗；脉冲集电极电流高达 400A，具备出色的过载与抗冲击能力。STG100T65FDK7 采用 TO-247 封装，最大总功耗 555W，工作结温范围 -40~+175℃，为 UPS、光伏逆变等大功率场合提供高效可靠的百安级功率开关方案。
产品特性
- 650V 沟槽场截止（T-FS）技术，集电极电流 100A（Tc=100℃）
- 低饱和压降：VCE(sat) 1.60V（IC=100A）
- 开关损耗：Eon 3.00mJ / Eoff 1.60mJ（25℃）
- 栅极电荷 176nC，适合中高开关频率
- 内置快恢复反并联二极管，VF 1.35V（IF=50A）
- 脉冲集电极电流 400A
- 最大总功耗 555W，25℃ 集电极电流 200A
- 正温度系数，便于并联使用
- TO-247 封装，RoHS 产品
典型应用
- UPS 不间断电源
- 光伏逆变
- 中高开关频率功率变换
