STC40N120 1200V 53mΩ SiC MOSFET

Name: STC40N120 1200V 53mΩ SiC MOSFET
Brand: 燊塔科技
SKU: STC40N120

STC40N120

STC40N120 是一款 1200V N 沟道增强型平面栅碳化硅（SiC）MOSFET，采用革命性碳化硅半导体材料，具有低导通电阻、低电容与低栅极电荷以及卓越的开关性能。器件 25℃ 最大连续漏极电流 70A，脉冲漏极电流 160A，VGS=15V 时 RDS(on) 最大 53mΩ（典型 39mΩ），VGS=18V 时最大 39mΩ（典型 29mΩ），总栅极电荷仅 94nC，在同平台中实现了导通损耗与驱动损耗的良好平衡。器件内置快速本征二极管，反向恢复电荷低至 279nC，开关损耗低，100% 经过雪崩测试，工作结温范围 -40~+175℃。相比硅器件，STC40N120 可为电力电子系统提供更高效率、更快工作频率与更紧凑的系统尺寸，采用 TO-247-4L 封装，广泛应用于开关电源、太阳能逆变器和 DC-DC 转换器等中高压功率变换场景。

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参数规格

Qualification-

VDS (V)1200

ID@25℃ (A)70

RDS(on)@VGS=15V (mΩ)53 / (Typ 39)

RDS(on)@VGS=18V (mΩ)39 / (Typ 29)

Vth (V)2.6 (1.8~3.6)

Qg (nC)94

PackageTO-247-4L

产品详情

产品简介

STC40N120 是一款 1200V N 沟道增强型平面栅碳化硅（SiC）MOSFET，采用革命性碳化硅半导体材料，兼具低导通电阻、低电容与低栅极电荷以及卓越的开关性能。器件 25℃ 最大连续漏极电流达 70A，脉冲漏极电流 160A，VGS=15V 时 RDS(on) 最大 53mΩ（典型 39mΩ），VGS=18V 时最大 39mΩ（典型 29mΩ），阈值电压典型值 2.6V（1.8~3.6V），总栅极电荷 94nC，内置快速本征二极管，反向恢复时间仅 18.5ns。器件 100% 经过雪崩测试，最大耗散功率 306W，工作结温范围 -40~+175℃，采用 TO-247-4L 封装，可为开关电源、太阳能逆变器和 DC-DC 转换器等应用提供比硅器件更高的效率、更快的开关频率与更紧凑的系统尺寸。

产品特性

革命性半导体材料——碳化硅（SiC），N 沟道增强型平面栅结构
1200V 高阻断电压，低导通电阻：RDS(on) 最大 53mΩ（VGS=15V，典型 39mΩ）
最大连续漏极电流 70A（TC=25℃），脉冲漏极电流 160A
总栅极电荷 Qg 94nC，开关损耗低
快速本征二极管，反向恢复时间 18.5ns，反向恢复电荷 279nC
100% 雪崩测试，最大耗散功率 306W
工作结温范围 -40~+175℃，TO-247-4L 封装
RoHS 产品

典型应用

开关电源（SMPS）
太阳能逆变器
DC-DC 转换器