STM10P03 -30V -52A 10mΩ P沟道沟槽MOSFET

Name: STM10P03 -30V -52A 10mΩ P沟道沟槽MOSFET
Brand: 燊塔科技
SKU: STM10P03

STM10P03

STM10P03 是一款 -30V/-52A P 沟道沟槽（Trench）MOSFET，采用先进的沟槽工艺与设计，在 VGS=-10V 条件下导通电阻最大值仅 10mΩ（典型值 7mΩ），总栅极电荷典型值 80nC，兼具低导通损耗与低驱动损耗，是负载开关与电源管理互补方案的理想选择。器件栅源电压 ±20V，单脉冲雪崩能量 EAS 达 81mJ，100% 通过雪崩测试，结温与存储温度范围 -55~+150℃。STM10P03 提供 TO-252、SOP-8、PDFN5×6 与 PDFN3.3×3.3 四种表面贴装封装，其中 TO-252 封装连续漏极电流达 -52A、耗散功率 42W，可灵活适配不同功率密度与板级空间需求，广泛应用于负载开关、电源管理等场景。产品为无铅 RoHS 环保器件。

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参数规格

TypeTrench MOSFETs

ModeP 沟道

VDS(Max.)-30

ID(Max.)-52

RDS(on)(Max.)10

Qg(Typ)80 nC

PackageTO-252 / SOP-8 / PDFN5×6 / PDFN3.3×3.3

产品详情

产品简介

STM10P03 是一款 -30V/-52A P 沟道沟槽（Trench）MOSFET，采用先进的沟槽技术与设计，实现优异的低导通电阻与低栅极电荷特性。器件在 VGS=-10V、ID=-17A 条件下导通电阻最大值仅 10mΩ（典型值 7mΩ），在 VGS=-4.5V 低压驱动下导通电阻典型值也仅 10mΩ，总栅极电荷典型值 80nC，栅极阈值电压 -1~-2.4V，便于与各类驱动电路直接配合。器件具备高功率与大电流处理能力，单脉冲雪崩能量 EAS 达 81mJ，TO-252、PDFN5×6 与 PDFN3.3×3.3 封装 100% 通过雪崩测试。STM10P03 提供 TO-252、SOP-8、PDFN5×6 与 PDFN3.3×3.3 四种表面贴装封装，TO-252 封装连续漏极电流达 -52A、脉冲漏极电流 -208A、耗散功率 42W，结温范围 -55~+150℃，为负载开关与电源管理应用提供灵活可靠的 P 沟道互补功率解决方案。

产品特性

漏源最大耐压 -30V，连续漏极电流 -52A（TO-252 封装）
导通电阻：RDS(on) 最大值 10mΩ @ VGS=-10V（典型值 7mΩ）；VGS=-4.5V 下典型值 10mΩ
总栅极电荷 Qg 典型值 80nC，栅源电荷 12.5nC，栅漏电荷 15nC
采用先进沟槽技术与设计，兼具优异 RDS(on) 与低栅极电荷
高功率与大电流处理能力，脉冲漏极电流 -208A（TO-252 封装）
单脉冲雪崩能量 EAS 81mJ，100% 雪崩测试（TO-252/PDFN5×6/PDFN3.3×3.3）
栅源电压 ±20V，栅极阈值电压 -1~-2.4V
体二极管正向压降 -1.2V（IS=-17A），连续源极电流 -52A（TO-252 封装）
结温与存储温度范围 -55~+150℃，耗散功率 42W（TO-252 封装）
TO-252 / SOP-8 / PDFN5×6 / PDFN3.3×3.3 表面贴装封装，无铅 RoHS 产品

典型应用

负载开关
电源管理