STM04N06 60V 150A 4.2mΩ N沟道沟槽MOSFET

Name: STM04N06 60V 150A 4.2mΩ N沟道沟槽MOSFET
Brand: 燊塔科技
SKU: STM04N06

STM04N06

STM04N06 是一款 60V/150A N 沟道增强型沟槽（Trench）MOSFET，采用先进的沟槽工艺与高密度元胞设计，在 VGS=10V 条件下导通电阻低至 4.2mΩ（典型值 3.5mΩ），总栅极电荷典型值 186nC，兼顾低导通损耗与低驱动损耗。器件支持 ±20V 栅源电压，脉冲漏极电流达 600A，单脉冲雪崩能量 EAS 达 1000mJ，结温与存储温度范围 -55~+175℃，100% 通过 UIS 与 DVDS 测试，可靠性经过全面表征。STM04N06 提供 TO-220 与 TO-263 两种封装，结到壳热阻仅 0.7℃/W，散热性能优异，广泛应用于功率开关、硬开关与高频电路、不间断电源（UPS）等大电流功率转换场景。

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参数规格

TypeTrench MOSFETs

ModeN 沟道

VDS(Max.)60

ID(Max.)150

RDS(on)(Max.)4.2

Qg(Typ)186 nC

PackageTO-220 / TO-263

产品详情

产品简介

STM04N06 是一款 60V/150A N 沟道增强型沟槽（Trench）MOSFET，采用先进的沟槽技术与高密度元胞设计，实现优异的低导通电阻与低栅极电荷特性。器件在 VGS=10V、ID=50A 条件下导通电阻最大值仅 4.2mΩ（典型值 3.5mΩ），总栅极电荷典型值 186nC，显著降低大电流应用中的导通损耗与开关损耗。器件雪崩电压与雪崩电流经过全面表征，单脉冲雪崩能量 EAS 达 1000mJ，100% 通过 UIS 与 DVDS 测试，在高 EAS 条件下保持良好的稳定性与一致性。STM04N06 提供 TO-220 与 TO-263 两种封装，结到壳热阻仅 0.7℃/W，工作结温范围 -55~+175℃，为功率开关、硬开关与高频电路、不间断电源等应用提供高效率、高可靠性的功率器件解决方案。

产品特性

漏源最大耐压 60V，连续漏极电流 150A，脉冲漏极电流 600A
导通电阻：RDS(on) < 4.2mΩ @ VGS=10V（典型值 3.5mΩ）
总栅极电荷 Qg 典型值 186nC，栅源电荷 46nC，栅漏电荷 70nC
采用先进沟槽技术与高密度元胞设计，实现更低 RDS(on)
雪崩电压与雪崩电流全面表征，单脉冲雪崩能量 EAS 1000mJ
100% UIS 测试，100% DVDS 测试，高 EAS 下稳定性与一致性好
栅源电压 ±20V，栅极阈值电压 2~4V，正向跨导 180S
体二极管正向压降 1.2V（IS=150A）
结到壳热阻 0.7℃/W，最大耗散功率 210W，结温范围 -55~+175℃
TO-220 / TO-263 封装，散热性能优异

典型应用

功率开关应用
硬开关与高频电路
不间断电源（UPS）