STC75N120 1200V 90mΩ 车规级 SiC MOSFET

Name: STC75N120 1200V 90mΩ 车规级 SiC MOSFET
Brand: 燊塔科技
SKU: STC75N120

STC75N120

STC75N120 是一款通过 AEC-Q101 车规认证的 1200V N 沟道增强型平面栅碳化硅（SiC）MOSFET，采用革命性碳化硅半导体材料，具有低导通电阻、低电容与低栅极电荷以及卓越的开关性能。器件 25℃ 最大连续漏极电流 40A，脉冲漏极电流 80A，VGS=15V 时 RDS(on) 最大 90mΩ（典型 75mΩ），VGS=18V 时最大 80mΩ（典型 55mΩ），总栅极电荷仅 63.5nC，为同平台最低，驱动损耗与开关损耗表现出色。器件内置快速本征二极管，反向恢复电荷低至 231nC，100% 经过雪崩测试，工作结温范围 -40~+175℃。相比硅器件，STC75N120 可为电力电子系统提供更高效率、更快工作频率与更紧凑的系统尺寸，采用 TO-247-4L 封装，广泛应用于开关电源、太阳能逆变器、DC-DC 转换器及车载高压功率变换场景。

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参数规格

QualificationAEC-Q101

VDS (V)1200

ID@25℃ (A)40

RDS(on)@VGS=15V (mΩ)90 / (Typ 75)

RDS(on)@VGS=18V (mΩ)80 / (Typ 55)

Vth (V)2.5 (1.8~3.6)

Qg (nC)63.5

PackageTO-247-4L

产品详情

产品简介

STC75N120 是一款通过 AEC-Q101 车规认证的 1200V N 沟道增强型平面栅碳化硅（SiC）MOSFET，采用革命性碳化硅半导体材料，兼具低导通电阻、低电容与低栅极电荷以及卓越的开关性能。器件 25℃ 最大连续漏极电流达 40A，脉冲漏极电流 80A，VGS=15V 时 RDS(on) 最大 90mΩ（典型 75mΩ），VGS=18V 时最大 80mΩ（典型 55mΩ），阈值电压典型值 2.5V（1.8~3.6V），总栅极电荷仅 63.5nC，为同平台最低，内置快速本征二极管，反向恢复时间 36.2ns。器件 100% 经过雪崩测试，最大耗散功率 187.5W，工作结温范围 -40~+175℃，采用 TO-247-4L 封装，可为开关电源、太阳能逆变器、DC-DC 转换器及车载电源等应用提供比硅器件更高的效率、更快的开关频率与更紧凑的系统尺寸。

产品特性

革命性半导体材料——碳化硅（SiC），N 沟道增强型平面栅结构
AEC-Q101 车规认证，满足汽车电子可靠性要求
1200V 高阻断电压，低导通电阻：RDS(on) 最大 90mΩ（VGS=15V，典型 75mΩ）
最大连续漏极电流 40A（TC=25℃），脉冲漏极电流 80A
总栅极电荷 Qg 63.5nC，开关损耗低
快速本征二极管，反向恢复时间 36.2ns，反向恢复电荷 231nC
100% 雪崩测试，最大耗散功率 187.5W
工作结温范围 -40~+175℃，TO-247-4L 封装
RoHS 产品

典型应用

开关电源（SMPS）
太阳能逆变器
DC-DC 转换器
车载高压功率变换