STC16N120 1200V 31mΩ SiC MOSFET

Name: STC16N120 1200V 31mΩ SiC MOSFET
Brand: 燊塔科技
SKU: STC16N120

STC16N120

STC16N120 是一款 1200V N 沟道增强型平面栅碳化硅（SiC）MOSFET，采用革命性碳化硅半导体材料，具有低导通电阻、低电容与低栅极电荷以及卓越的开关性能。器件 25℃ 最大连续漏极电流 120A，脉冲漏极电流 300A，VGS=15V 时 RDS(on) 最大 31mΩ（典型 22mΩ），VGS=18V 时最大 22mΩ（典型 16mΩ），总栅极电荷仅 160.9nC。器件内置快速本征二极管，反向恢复电荷低至 439.1nC，开关损耗低，100% 经过雪崩测试，工作结温范围 -40~+175℃。相比硅器件，STC16N120 可为电力电子系统提供更高效率、更快工作频率与更紧凑的系统尺寸，采用 TO-247-4L 封装，广泛应用于开关电源、太阳能逆变器和 DC-DC 转换器等高压大功率场景。

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参数规格

Qualification-

VDS (V)1200

ID@25℃ (A)120

RDS(on)@VGS=15V (mΩ)31 / (Typ 22)

RDS(on)@VGS=18V (mΩ)22 / (Typ 16)

Vth (V)2.5 (1.8~3.6)

Qg (nC)160.9

PackageTO-247-4L

产品详情

产品简介

STC16N120 是一款 1200V N 沟道增强型平面栅碳化硅（SiC）MOSFET，采用革命性碳化硅半导体材料，兼具低导通电阻、低电容与低栅极电荷以及卓越的开关性能。器件 25℃ 最大连续漏极电流达 120A，脉冲漏极电流 300A，VGS=15V 时 RDS(on) 最大 31mΩ（典型 22mΩ），VGS=18V 时最大 22mΩ（典型 16mΩ），阈值电压典型值 2.5V（1.8~3.6V），总栅极电荷 160.9nC，内置快速本征二极管，反向恢复时间仅 20.9ns。器件 100% 经过雪崩测试，最大耗散功率 468.75W，工作结温范围 -40~+175℃，采用 TO-247-4L 封装，可为开关电源、太阳能逆变器和 DC-DC 转换器等应用提供比硅器件更高的效率、更快的开关频率与更紧凑的系统尺寸。

产品特性

革命性半导体材料——碳化硅（SiC），N 沟道增强型平面栅结构
1200V 高阻断电压，低导通电阻：RDS(on) 最大 31mΩ（VGS=15V，典型 22mΩ）
最大连续漏极电流 120A（TC=25℃），脉冲漏极电流 300A
总栅极电荷 Qg 160.9nC，开关损耗低
快速本征二极管，反向恢复时间 20.9ns，反向恢复电荷 439.1nC
100% 雪崩测试，最大耗散功率 468.75W
工作结温范围 -40~+175℃，TO-247-4L 封装
RoHS 产品

典型应用

开关电源（SMPS）
太阳能逆变器
DC-DC 转换器