ST4931P 36V 三相无刷直流电机预驱动芯片
参数规格
Power Bus Supply Voltage VM工作 4.7~36V；绝对最大 38V
Output Current per Phase预驱动：栅极驱动电流 IGATE 20~30mA（max，驱6个NMOS）
Rds(on) (HS+LS)-（预驱，无内置FET，外部MOS决定）
PWM Carrier Frequency Range外部PWM输入（ENABLE，fPWM<30kHz）
Current Sensing SchemeSENSE电流监测脚，外部采样电阻（VREF限流200mV）支持单电阻采样
Motor Control Algorithm三相120°梯形换相（霍尔传感），同步整流
Control InterfaceENABLE（低有效PWM）、DIR方向、BRAKEZ刹车、FG1/FG2速度输出、霍尔输入
Dead TimeTdead 1.0µs（0.7~1.3µs）固定死区防穿通
Quiescent/Sleep Current (Iq/Isleep)工作电流 IBB 4~6mA；省电模式 3.3~3.6mA（电荷泵开）
Protection Features过温TSD(170℃)、欠压UVLO(4.7V/VCP)、过压OVP(29V)、堵转锁定保护(可调)
Fault FeedbackFG1/FG2速度输出（对应霍尔）、堵转指示
Logic SupplyHBIAS 5V霍尔供电输出；逻辑输入0~7V
Operating Temperature-40~110℃
Modulation Method120°梯形换相（霍尔），同步整流，固定衰减电流调节
Additional Features同步整流、固定衰减脉宽调制、堵转时间可调、FG1/FG2霍尔对应输出
PackageQFN28（5×5，e=0.50）
产品详情
产品简介
ST4931P 是一款三相无刷直流电机预驱动芯片，电源电压范围 4.7~36V，可驱动三个半桥共 6 个外接 N 型功率 MOSFET，芯片状态切换逻辑由三路相位差 120° 的霍尔输入确定。芯片集成固定衰减时间（25µs）的脉冲宽度调制来控制电流并抑制励磁涌流，限流阈值 VREF 为 200mV，支持单电阻采样；内置同步整流在衰减周期内打开低内阻开关管以取代反向续流二极管，大幅降低系统功耗，监测到过压时自动关断同步整流以抑制电源电压波动。逻辑输入包括 ENABLE（低有效 PWM 控制）、DIR 方向控制与 BRAKEZ 刹车控制，FG1/FG2 输出与霍尔信号对应，可用于监测转动速度。芯片内置 1.0µs 死区时间防穿通、可调堵转锁定保护（tlock = Ccld × 20s/µF）、过温保护（170℃）及 VBB 欠压/过压保护，HBIAS 内置 LDO 输出 5.2V（最大 30mA）供霍尔元件使用，ENABLE 高电平超过 3ms 时进入省电模式。ST4931P 采用带底部散热片的 QFN28（5mm×5mm）封装，工作温度 -40~110℃。
产品特性
- 三相 120° 梯形换相（霍尔传感），驱动三个半桥（6 个 NMOS）
- 宽电源电压 4.7~36V（绝对最大 38V），内置电荷泵驱动上臂 NMOS
- 栅极驱动电流 20~30mA，1.0µs 固定死区防穿通
- 固定衰减周期（25µs）PWM 电流调节，限流阈值 VREF 200mV
- 低功耗同步整流，过压时自动关断同步整流
- ENABLE（低有效 PWM）、DIR 方向、BRAKEZ 刹车控制接口
- FG1/FG2 速度输出（与霍尔信号对应）
- 堵转锁定保护，保护时间可由 CLD 电容调节
- 过温保护（TSD 170℃，迟滞 20℃）、VBB 欠压（4.7V）与过压（29V）保护
- 省电模式（ENABLE 高电平超 3ms，工作电流 3.3~3.6mA）
- HBIAS 5V 霍尔供电输出（最大 30mA）
- QFN28（5mm×5mm，底部散热片）封装
典型应用
- 三相无刷直流电机（BLDC）驱动系统
- 外接 6 个 N 型 MOSFET 的三半桥功率级
- 4.7~36V 宽电压母线的电机调速方案
- 需同步整流降低功耗的 PWM 电机控制应用
