ST2169 3A 1MHz PWM/PFM升压DC-DC控制器

ST2169 3A 1MHz PWM/PFM升压DC-DC控制器

ST2169

ST2169 是一款 CMOS 升压 DC-DC 控制器,内置基准电压源、振荡电路、误差放大、相位补偿、限流电路与 PWM/PFM 控制电路,搭配外置低导通电阻增强型 N 沟道功率 MOSFET,适用于要求高效率、大输出电流的升压场合。芯片工作频率 1.0MHz,基准电压 1.25V(±2.0%),待机静态电流仅 60µA,通过 VSENSE 端外接电流检测电阻即可设定限流值(检测电压 100mV±10%,限流设定≥3A 时输出电流可达 3A)。具备 2ms 软启动与欠压锁定(UVLO)功能,输出端可使用陶瓷电容。采用 SOT23-6 小型封装,适合高密度贴装,广泛应用于移动电源、数码音频播放器、LED 照明、GPS 及便携设备。

在线咨询

参数规格

Input Voltage (VIN)2.5V~6.0V (VDD)
Output Current (Typ.)3A@VIN=3.6V/VOUT=5.0V (limit≥3A)
Modulation ModePWM/PFM (PFM light load / PWM heavy load)
Output Voltage (VOUT)Adjustable via ext. resistors (Typ.5.0V, FB 1.25V)
FB/VOUT Accuracy±2% (1.25V ref)
Oscillation Frequency (Typ.)1.0MHz (0.8~1.2MHz)
Power MOS CharacteristicsExternal enhancement-mode N-channel power MOSFET (external); RDS(on) not specified
PackageSOT23-6

产品详情

产品简介

ST2169 是一款 CMOS 升压 DC-DC 控制器,由基准电压源、振荡电路、误差放大电路、相位补偿电路、限流电路与 PWM/PFM 控制电路组成。搭配外置低导通电阻增强型 N 沟道功率 MOSFET,适用于要求高效率、大输出电流的应用。通过在 VSENSE 端外接电流检测电阻(RSENSE)可限制输出电流;电流检测电压(VSENSE)设定为 100mV±10%,可降低 RSENSE 端的功率损耗。输出电容可使用陶瓷电容,小型 SOT23-6 封装适合要求高精度、高效率的高密度贴装应用。

产品特性

  • 可调限流功能:如 RSENSE=50mΩ 时限流 2A
  • PWM/PFM 切换控制,PWM 模式占空比最高 78%
  • 工作频率:1.0MHz
  • 基准电压:1.25V(±2.0%)
  • 低静态电流:60µA(典型值,待机)
  • 输出电流:3A(VIN=3.6V、VOUT=5.0V,限流设定≥3A)
  • 软启动时间:2ms(典型值)
  • 欠压锁定(UVLO)功能:VDD<2.3V
  • 外部元件:电感、二极管、电容、晶体管与电阻
  • 输出端可使用陶瓷电容
  • SOT23-6 小型封装

典型应用

  • 移动电源、数码音频播放器
  • LED 照明、GPS、无绳收发设备
  • 其他便携设备